EPM570GT144C3N vs EPM570GT144C3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EPM570GT144C3N द्वारा Intel और EPM570GT144C3 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EPM570GT144C3N | EPM570GT144C3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | MAX II | MAX II |
| Logic Elements (LEs) | 570 | 570 |
| Equivalent Macrocells | 440 | 440 |
| User I/Os | 116 | — |
| Pin-to-Pin Logic Delay (tPD1) | 5.4 ns | — |
| User Flash Memory (UFM) | 8 Kbits | 8 Kbits (8,192 bits) |
| Internal Supply Voltage | 1.71 V to 1.89 V | — |
| I/O Standards Supported | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V LVCMOS/LVTTL | — |
| Programmable Type | In System Programmable (Flash) | — |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1) | JTAG IEEE 1149.1 (ISP) |
| पैकेज | 144-pin TQFP (20 x 20 mm) | 144-pin TQFP (GT144) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (Commercial) | 0 °C to +85 °C (commercial, C3 grade) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 6-layer-metal flash CMOS | 0.30 µm 6-layer-metal flash CMOS |
| User I/O Count | — | 76 (max, package-dependent) |
| Pin-to-Pin Propagation Delay (tPD1) | — | 5.4 ns (commercial, fastest speed grade) |
| Core Supply Voltage | — | 1.8 V (internal regulator from VCCINT 3.3 V) |
| I/O Supply Voltages | — | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (MultiVolt) |
| Configuration Method | — | Non-volatile on-chip flash (instant-on) |
| MSL स्तर | — | MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) |