FDG6332C-F085 vs FDG6332C तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना FDG6332C-F085 द्वारा onsemi और FDG6332C द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | FDG6332C-F085 | FDG6332C |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | सक्रिय |
| Manufacturer | onsemi | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) |
| Series | PowerTrench | — |
| FET Type | N- and P-Channel Complementary Array | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current - N-FET (ID) | 700 mA | — |
| Continuous Drain Current - P-FET (ID) | 600 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 mW | — |
| पैकेज | SC-88 / SC-70-6 (SOT-363) | SC-88 (SC-70-6), 6-pin |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (TJ max) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 / -F085 grade | — |
| Technology | PowerTrench (trench-gate) | — |
| Configuration | Dual independent FETs (N+P) | Dual independent MOSFETs (N + P) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| VGS(th) - N-FET (typ) | [DATA_NEEDED: VGS threshold] | — |
| RDS(on) - N-FET at VGS=4.5V (typ/max) | [DATA_NEEDED: on-resistance] | — |
| Product Type | — | MOSFET Array (N-channel and P-channel, complementary) |
| Process Technology | — | PowerTrench |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 700 mA |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 600 mA |
| Total Package Power Dissipation (PD) | — | 300 mW |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 415 °C/W (still air, JEDEC PCB) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-State Resistance N-Channel (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS] |
| On-State Resistance P-Channel (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS] |