FDG6332C-F085 vs FDG6332C موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDG6332C-F085 بذریعہ onsemi اور FDG6332C بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

onsemi
FDG6332C-F085 FDG6332C-F085 - 20V N&P Chan MOSFET Array | onsemi | SC-70-6

FDG6332C-F085 - 20V N&P Chan MOSFET Array | onsemi | SC-70-6

FDG6332C-F085 ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر FDG6332C-F085 FDG6332C
برانڈ onsemi onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت آخری بار خریداری فعال
Manufacturer onsemi onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Series PowerTrench —
FET Type N- and P-Channel Complementary Array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current - N-FET (ID) 700 mA —
Continuous Drain Current - P-FET (ID) 600 mA —
Power Dissipation (PD) 300 mW —
پیکیج SC-88 / SC-70-6 (SOT-363) SC-88 (SC-70-6), 6-pin
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (TJ max)
Automotive Qualification AEC-Q101 / -F085 grade —
Technology PowerTrench (trench-gate) —
Configuration Dual independent FETs (N+P) Dual independent MOSFETs (N + P)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
VGS(th) - N-FET (typ) [DATA_NEEDED: VGS threshold] —
RDS(on) - N-FET at VGS=4.5V (typ/max) [DATA_NEEDED: on-resistance] —
Product Type — MOSFET Array (N-channel and P-channel, complementary)
Process Technology — PowerTrench
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 700 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 600 mA
Total Package Power Dissipation (PD) — 300 mW
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RθJA) — 415 °C/W (still air, JEDEC PCB)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-State Resistance N-Channel (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS]
On-State Resistance P-Channel (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں