FS35R12W1T4-T7 vs FS35R12W1T4 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना FS35R12W1T4-T7 द्वारा Infineon और FS35R12W1T4 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | FS35R12W1T4-T7 | FS35R12W1T4 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | IGBTs | IGBTs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| टोपोलॉजी | Sixpack (three-phase inverter) + brake chopper | Six-pack (3-phase inverter) |
| Collector-Emitter Voltage (Vces) | 1200 V | — |
| Nominal Collector Current (Ic nom) | 35 A | — |
| Pulsed Collector Current | 65 A | — |
| Total Power Dissipation | 225 W | — |
| IGBT Generation | TRENCHSTOP IGBT4 | — |
| Diode Generation | Emitter Controlled 4 (EC4) | — |
| Integrated NTC | Yes (temperature monitoring) | Yes |
| Package Family | EasyPACK 1B | — |
| Contact Technology | Solder (T7 variant) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Chassis Mount | Screw-mount power terminals, PressFIT-pin option (FS35R12W1T4_B11) |
| Module Configuration | 6 IGBTs + 6 diodes + brake chopper + NTC | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Application Class | Industrial / Motor Drive / Solar | — |
| Datasheet Source | Infineon manufacturer datasheet | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Collector-Emitter Voltage (VCE) | — | 1200 V |
| Nominal Collector Current (IC nom) | — | 35 A |
| DC Collector Current | — | 65 A (per Mouser listing, TC limited) |
| IGBT Technology | — | TRENCHSTOP IGBT4 (Trench/Field-stop) |
| Diode Technology | — | Emitter Controlled 4 (EC4) |
| पैकेज | — | EasyPACK 1B (baseplate-less) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -40 C to +150 C |
| Configuration | — | 6 IGBTs + 6 freewheeling diodes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Short-Circuit Withstand Time | — | 10 us (typical for IGBT4 class) |
| Datasheet Document Length | — | 9 pages (per AllDatasheet mirror) |
| Power Dissipation Range | — | 135 W - 275 W (EasyPACK 1B family) |