H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WB-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-UHI द्वारा SK hynix और K4A8G085WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WB-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $12.30 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| डेटा दर | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| इंटरफ़ेस | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (SSTL12) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Classification | — | B-die |
| Application Domain | — | Server, industrial control, networking, embedded systems |
| VREF AC-Noise Derating | — | +/-1% of VDD included in timing deratings |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] |