H5AN4G8NBJR-UHI vs K4A8G085WB-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHI توسط SK hynix و K4A8G085WB-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHI | K4A8G085WB-BCWE |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $12.30 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| نرخ داده | 2400 MT/s | 3200 Mbps |
| رابط | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (SSTL12) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Die Classification | — | B-die |
| Application Domain | — | Server, industrial control, networking, embedded systems |
| VREF AC-Noise Derating | — | +/-1% of VDD included in timing deratings |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] |