H5AN8G4NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G4NCJR-xxC द्वारा SK hynix और K4B4G1646D-BYK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G4NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8Gb | 4 Gb |
| संगठन | x4 (H5AN8G4NCJR) | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 1600 Mbps |
| पैकेज | FBGA | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |