H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NAFR-PBC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NAFR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| पैकेज | TFBGA-96 (rectangular) | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Composition | CMOS | — |
| Memory Density | — | 8 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Temperature Grade | — | OTHER (per Partstack listing) |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -RDC (see datasheet for bin timing) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Max Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] |