H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-PBC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NAFR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NCJR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 2400 MT/s | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | Yes |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gbit |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |