H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 MT/s | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | Yes |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| رابط | — | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |