H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NDJR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NCJR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
संगठन 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
पैकेज FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96 (96-ball)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount (BGA)
ऑपरेटिंग तापमान — 0C to +95C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

डेटाशीट और संसाधन

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