H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR-UHC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
العلبة FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96 (96-ball)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
جهد التغذية — 1.2 V
نوع التركيب — Surface Mount (BGA)
درجة حرارة التشغيل — 0C to +95C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر