H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NDJR-UHC מאת SK hynix ו H5AN8G6NCJR-UHC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ פעיל
SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
ארגון 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
מארז FBGA-96 (13x7.5 mm) FBGA-96 (96-ball)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
מתח אספקה — 1.2 V
סוג הרכבה — Surface Mount (BGA)
טמפרטורת פעולה — 0C to +95C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
סטטוס RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר