H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-RDC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NAFR-VKC | H5AN8G8NAFR-RDC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 (x8) |
| Speed Grade | DDR4-2666 (VKC bin) | -RDC (DDR4-2666 class) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL12 | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes (DLL for output skew control) | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Process Technology | CMOS | — |
| Recommended Application | Main memory requiring large density and high bandwidth | — |
| डेटा दर | — | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Wordline Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Banks / Bank Groups | — | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |