H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-RDC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G8NAFR-VKC bằng SK hynix và H5AN8G8NAFR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-RDC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Tổ chức 1G x 8 1G x 8 (x8)
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) -RDC (DDR4-2666 class)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Giao diện SSTL12 DDR4 (Double Data Rate 4)
Burst Length 8 (BL8) 8 (BL8)
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
Hộp 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
Tốc độ dữ liệu — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá