H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-XNC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NCJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-XNC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $30.69
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
संगठन x8 1 Gb x 8
डेटा दर up to 2666 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal)
इंटरफ़ेस DDR4 (JEDEC standard) DDR4 (8-bit data interface)
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
पैकेज 78-ball FBGA 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] 0 C to +85 C
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
मेमोरी आकार — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Architecture — Bank-group based DDR4
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Calibration — ZQ calibration, write leveling
Error Handling — CRC function
Reset — Asynchronous reset
Data Mask — Data mask function
Current - Operating — 39 mA
Current - Standby — 30 mA
Lead-Free / Halogen-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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