H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-XNC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NDJR-XNC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NCJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $30.69 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (1 G x 8) | 8 Gbit |
| डेटा दर | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| पैकेज | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | DDR4 (8-bit data interface) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | 1.6 GHz |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| संगठन | — | 1 Gb x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0 C to +85 C |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |