H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG6NBJR-PBC द्वारा SK hynix और H5ANAG6NBJR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16 Gb
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
पैकेज FBGA-96 FBGA (Ball Grid Array), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
संगठन [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Memory Organization — 16Gb x16
डेटा दर — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
इंटरफ़ेस — Synchronous, double data rate
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

डेटाशीट और संसाधन

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