H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCR-VKC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG6NCR-RDC द्वारा SK hynix और H5ANAG6NCR-VKC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NCR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCR-RDC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NCR-VKC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb (2 GB) —
संगठन 1G x 16 2G x 8
डेटा दर 3200 Mbps (PC4-25600 class) [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
पैकेज 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Density — 16 Gbit
इंटरफ़ेस — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

डेटाशीट और संसाधन

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