H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646D-BHMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix और K4B4G1646D-BHMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $3.98 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| इंटरफ़ेस | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +95°C (TC) |
| CAS लेटेंसी | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |