H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646D-BHMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63AFR-PBA توسط SK hynix و K4B4G1646D-BHMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $3.98 | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| رابط | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| دمای کاری | — | -40°C to +95°C (TC) |
| تأخیر CAS | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |