H5TC4G63AFR-PBA vs K4B4G1646D-BHMA So sánh
So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix và K4B4G1646D-BHMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5TC4G63AFR-PBA | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $3,98 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Giao diện | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C (TC) |
| Latency CAS | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |