H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-xxL द्वारा SK hynix और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
ब्रांड SK hynix Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $14.32
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
पैकेज 96-pin FBGA FBGA-96
डेटा दर [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
हैलोजन फ्री Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 96 96
इंटरफ़ेस DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

डेटाशीट और संसाधन

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