H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-xxL توسط SK hynix و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
برند SK hynix Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $14.32
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
سازمان 256M x 16 256M x 16
ولتاژ تغذیه 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
بسته‌بندی 96-pin FBGA FBGA-96
نرخ داده [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 96 96
رابط DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
دمای کاری — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت