H5TC4G63MFR-PBA vs MT41K256M16HA-125 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63MFR-PBA द्वारा SK hynix और MT41K256M16HA-125 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63MFR-PBA MT41K256M16HA-125
ब्रांड SK hynix Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $6.36
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
संगठन 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
डेटा दर 1866 Mbps (PC3L-14900) —
पैकेज 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
मेमोरी आकार — 4Gbit (256M x 16)
डेटा बस चौड़ाई — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
सप्लाई वोल्टेज — 1.35 V
पिन की संख्या — 96
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS लेटेंसी — 11

डेटाशीट और संसाधन

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