H5TC4G63MFR-PBA vs MT41K256M16HA-125 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63MFR-PBA بواسطة SK hynix و MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ نشط
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63MFR-PBA MT41K256M16HA-125
العلامة التجارية SK hynix Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $6.36
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
التنظيم 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
معدل البيانات 1866 Mbps (PC3L-14900) —
العلبة 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) —
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
حجم الذاكرة — 4Gbit (256M x 16)
عرض ناقل البيانات — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
جهد التغذية — 1.35 V
عدد الدبابيس — 96
نوع التركيب — Surface Mount
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
زمن الوصول CAS — 11

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر