IAUC50N08S5N102ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC50N08S5N102ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC50N08S5N102ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | Automotive OptiMOS 7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 50 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1394 pF @ 40 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 60 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C (TJ) |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-33 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |