IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC60N04S6N031HATMA1 द्वारा Infineon और IAUC100N04S6L025ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) | — |
| Process Technology | OptiMOS 6 40V | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 75 W | — |
| R_DS(on) at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |