IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC60N04S6N031HATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) | — |
| Process Technology | OptiMOS 6 40V | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 60 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | 75 W | — |
| R_DS(on) at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | — | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free | — | Yes |