IAUCN04S7L042GATMA1 vs IAUCN04S7L028ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7L042GATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L028ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 - 40V 77A OptiMOS 7 N-MOSFET, PG-THSOG-4 | Infineon

IAUCN04S7L042GATMA1 ✓ सक्रिय
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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN04S7L042GATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 40V —
Technology Trench N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 77 A —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
पैकेज PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias) Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (Tj) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualified Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 —
Packing Tape & Reel (per -ATMA1 suffix) —
Target Substrate IMS substrate and legacy FR4 designs —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Series — OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 2.80 mOhm at VGS=10 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported)
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 1.8 V (typ)
Gate Charge (Qg) — 24 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.578 nF
Output Capacitance (Coss) — 788 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 36 pF
पावर डिसिपेशन (Ptot) — 58 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101

डेटाशीट और संसाधन

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