IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7N056DATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N04S6N010ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN04S7N056DATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUCN04S7N056DATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 5 40V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 60 A (Tj) | — |
| RDS(on) (typ) | 5.59 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 41 W (Tc) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging Type | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |