IAUCN08S7N036TATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7N036TATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 - 80V, 3.6mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N036TATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 129 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.60 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 118 W (T_C = 25 °C) —
Input Capacitance (C_iss) 3120 pF (typ) —
Output Capacitance (C_oss) 1280 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 23 pF (max) —
Turn-on Delay Time (t_d(on)) 14 ns (typ) —
Rise Time (t_r) 8 ns (typ) —
Turn-off Delay Time (t_d(off)) 17 ns (typ) —
Fall Time (t_f) 8 ns (typ) —
पैकेज PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Cooling Top-side cooled —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Series — Automotive OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

डेटाशीट और संसाधन

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