IAUCN08S7N036TATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N036TATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N036TATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 129 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.60 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 118 W (T_C = 25 °C) —
Input Capacitance (C_iss) 3120 pF (typ) —
Output Capacitance (C_oss) 1280 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 23 pF (max) —
Turn-on Delay Time (t_d(on)) 14 ns (typ) —
Rise Time (t_r) 8 ns (typ) —
Turn-off Delay Time (t_d(off)) 17 ns (typ) —
Fall Time (t_f) 8 ns (typ) —
Paket PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Cooling Top-side cooled —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin