IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S7N074ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N06S5L015ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 - 100V 7.4mΩ N-Channel OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N074ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S7N074ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 78 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 96 W (Tc) | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (Tj) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| पिन काउंट | 8 (with exposed pad) | — |
| MSL स्तर | MSL2 (1 year) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Application | 48 V Automotive Systems | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |