IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7N074ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7N074ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Pin Sayısı 8 (with exposed pad) —
MSL Seviyesi MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin