IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S7N074ATMA1 توسط Infineon و IAUC120N06S5L015ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S7N074ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
تعداد پایه 8 (with exposed pad) —
سطح MSL MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت