IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZN08S7L177ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN10S5L280DATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ सक्रिय
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IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
पैकेज PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C (junction)
पिन काउंट — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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