IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN08S7L177ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S5L280DATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
العلبة PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single Dual N-Channel MOSFET Array
Qualification AEC-Q101 automotive —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (junction)
عدد الأطراف — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر