IGLD60R070D1AUMA3 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGLD60R070D1AUMA3 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 - 600V 70mΩ CoolGaN™ eMode GaN FET | Infineon

IGLD60R070D1AUMA3 - 600V 70mΩ CoolGaN™ eMode GaN FET | Infineon

IGLD60R070D1AUMA3 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IGLD60R070D1AUMA3 BSC076N04NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 15 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 114 W —
On-Resistance (RDS(on)) 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN technology) —
Input Capacitance (Ciss) 380 pF @ 400 V (per Utmel) —
पैकेज PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 3 —
हैलोजन फ्री Yes —
RoHS स्थिति Compliant —
Operating Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: Tj max] —
Series CoolGaN™ OptiMOS 3
Polarity N-Channel —
Packaging Tape & Reel —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
पैकेज / केस — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

डेटाशीट और संसाधन

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