IGLD60R070D1AUMA3 vs BSC076N04NDATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IGLD60R070D1AUMA3 توسط Infineon و BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IGLD60R070D1AUMA3 BSC076N04NDATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 15 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 114 W —
On-Resistance (RDS(on)) 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN technology) —
Input Capacitance (Ciss) 380 pF @ 400 V (per Utmel) —
بسته‌بندی PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 3 —
بدون هالوژن Yes —
وضعیت RoHS Compliant —
Operating Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: Tj max] —
Series CoolGaN™ OptiMOS 3
Polarity N-Channel —
Packaging Tape & Reel —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
بسته‌بندی / کیس — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت