IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGLR70R200D2SXUMA1 द्वारा Infineon और IGLT65R035D2ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGLT65R035D2ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 TOLT |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| पैकेज | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 47 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 154 W |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | — | 540 pF |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Cooling Configuration | — | Top-side cooled (TOLT) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Production Wafer Size | — | 200 mm (8 inch) |