IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IGLT65R035D2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLR70R200D2SXUMA1 IGLT65R035D2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN G5 CoolGaN™ G5 TOLT
Channel Type N-Channel —
Technology GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 9.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 34 W —
On-Resistance (RDS(on), max) 200 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 1.26 nC —
Output Capacitance (Coss) 91 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 0.21 pF —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +150 °C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
پیکیج PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled)
RoHS Compliant —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel enhancement-mode GaN HEMT
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 47 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 154 W
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V — 540 pF
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Cooling Configuration — Top-side cooled (TOLT)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Production Wafer Size — 200 mm (8 inch)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں