IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLT65R035D2ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IGLR70R200D2SXUMA1 tarafından Infineon ve IGLT65R035D2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGLT65R035D2ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 TOLT |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Paket | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 47 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 154 W |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | — | 540 pF |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Cooling Configuration | — | Top-side cooled (TOLT) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Production Wafer Size | — | 200 mm (8 inch) |