IPB024N10N5ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB024N10N5ATMA1 द्वारा Infineon और IPT015N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB024N10N5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPB024N10N5ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
पैकेज PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product family policy) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी — [DATA_NEEDED: EAS value]

डेटाशीट और संसाधन

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