IPB024N10N5ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB024N10N5ATMA1 מאת Infineon ו IPT015N10NF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB024N10N5ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
מארז PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family policy) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
אנרגיית מפולת בפולס בודד — [DATA_NEEDED: EAS value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר