IPB024N10N5ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB024N10N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPT015N10NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB024N10N5ATMA1 - 100V 2.4mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB024N10N5ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB024N10N5ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 250 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Input Capacitance Ciss | [DATA_NEEDED: Ciss value] | — |
| Output Capacitance Coss | [DATA_NEEDED: Coss value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TO263-7 (D2PAK-7) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | — |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon product family policy) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Tek Darbe Yıldırım Enerjisi | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |