IPB024N10N5ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB024N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPT015N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB024N10N5ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 180 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 250 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Input Capacitance Ciss [DATA_NEEDED: Ciss value] —
Output Capacitance Coss [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TO263-7 (D2PAK-7) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family policy) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
سنگل پلس ایوالانچ انرجی — [DATA_NEEDED: EAS value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں