IPB027N10N3GATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB027N10N3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC070N10NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB027N10N3GATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |