IPB110P06LMATMA1 vs IGI65D1414A3MSXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB110P06LMATMA1 द्वारा Infineon और IGI65D1414A3MSXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ सक्रिय
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IGI65D1414A3MSXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1 - 650V CoolGaN Half-Bridge, 140mΩ QFN-32 | Infineon

IGI65D1414A3MSXUMA1 - 650V CoolGaN Half-Bridge, 140mΩ QFN-32 | Infineon

IGI65D1414A3MSXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPB110P06LMATMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (trench MOSFET) Enhancement-mode GaN HEMT (eMode)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -100 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 11 mOhm @ ID=100A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) 2 V @ ID=5.55 mA —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज / केस PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2 —
Gate Drive Level Logic-level compatible —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolGaN™ HEMT
Configuration — Half-Bridge (2 FETs in QFN-32, high-side + low-side)
Drain-Source Voltage (V_DS, max) — 650 V
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 140 mΩ per FET
Continuous Drain Current — 13.7 A (per Newark listing)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
पैकेज — PG-TIQFN-32-1 (QFN-32, 6x8 mm)
Total Gate Charge (Q_G, typ) — [DATA_NEEDED: Q_G total]
Output Charge (Q_OSS) — [DATA_NEEDED: Q_OSS value]
Reverse Recovery Charge (Q_RR) — 0 nC (intrinsic to GaN HEMT, no body diode recovery)
Thermal Resistance (R_thJA) — [DATA_NEEDED: R_thJA value]
Typical Applications — AC-DC chargers/adapters, totem-pole PFC, BLDC motor drives, Class-D audio, LED lighting
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Compliance — Compliant

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