IPB120N10S405ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB120N10S405ATMA1 द्वारा Infineon और IPB027N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPB120N10S405ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology Enhancement Mode (Trench) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 190 W —
On-Resistance R_DS(on) (typ) 5 mΩ at VGS=10 V —
पैकेज PG-TO263-3 (D2PAK) Surface Mount PG-TO263-3 (D2PAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (unlimited floor life at ≤30 C / 85% RH) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Avalanche Tested 100% (production-screened) —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Gate Threshold Voltage (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr - body diode] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]
RoHS स्थिति — Compliant
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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